Flash Memorry Renesas AT45DB041E-SHN-B

Name: Flash Memorry Renesas AT45DB041E-SHN-B
SKU: AT45DB041E-SHN-B
Price: 28.600VND VND
Availability: InStock
Rating: 0.00 (0 reviews)

Mã:

AT45DB041E-SHN-B

0 đánh giá

Thương hiệu:

N/A

Bảo hành:

N/A

28.600đ ~~35.000đ~~ GIẢM 18%

(giá chưa bao gồm VAT)

Đang có sẵn: 1600

Tạm thời chưa có khuyến mãi cho sản phẩm này

Hotline: 0906.988.447

Liên hệ: Hồ Chí Minh

Điện thoại: (028).3977.8269
Email: sales@lidinco.com
Địa chỉ: 487 Cộng Hòa, Phường 15, Quận Tân Bình, TP. HCM

Liên hệ: Bắc Ninh, Hà Nội

Điện thoại: (0222).730.0180
Email: bn@lidinco.com
Địa chỉ: 184 Bình Than, Phường Võ Cường, TP. Bắc Ninh

Tư vấn kĩ thuật Miễn phí
Miễn phí vận chuyển Đơn hàng trên 3 triệu

Thông số kỹ thuật

Kích thước bộ nhớ: 4 Mbit

Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu: 1.65 V

Điện áp cấp nguồn - Tối đa: 3.6 V

Dòng hoạt động - Tối đa: 15 mA

Loại giao diện: SPI

Tần số đồng hồ tối đa: 70 MHz

Tổ chức: 512k x 8

Độ rộng bus dữ liệu: 8 bit

Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C

Nhiệt độ làm việc tối đa: + 85 C

Trọng lượng: 540 mg

Mô tả sản phẩm
Phụ kiện

SALE OFF HÀNG TỒN KHO "MỚI 100% CHƯA QUA SỬ DỤNG" GIÁ CHẠM ĐÁY

~~35.000~~ vnđ → Chỉ còn 28.600 vnđ

SỐ LƯỢNG KHUYẾN MÃI CÓ HẠN. Mua Số lượng lớn có giá tốt hơn

Bộ Nhớ Flash AT45DB041E - Giải Pháp Lưu Trữ Nối Tiếp Hiệu Suất Cao

AT45DB041E là vi mạch bộ nhớ Flash giao tiếp nối tiếp hoạt động ở điện áp tối thiểu 1.65V, được tối ưu hóa cho các ứng dụng lưu trữ âm thanh số, hình ảnh, mã chương trình và dữ liệu đa dạng. Chip bán dẫn này hỗ trợ giao tiếp RapidS™ cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ xử lý cực cao.

Đặc điểm kỹ thuật nổi bật:

Dung lượng: 4,194,304 bits (4Mb) tổ chức thành 2,048 trang 256/264 bytes
Hai bộ đệm SRAM độc lập 256/264 bytes hỗ trợ nhận dữ liệu song song với việc lập trình lại bộ nhớ chính
Giao tiếp SPI tương thích, hỗ trợ mode 0 và 3
Tần số hoạt động lên đến 85MHz, chế độ tiết kiệm năng lượng 15MHz
Nguồn cung cấp đơn 1.65V-3.6V

Ưu điểm công nghệ: